Graphene on two-dimensional hexagonal BN, AlN, and GaN: Electronic, spin-orbit, and spin relaxation properties

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-442554
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.44255

Zollner, Klaus

; Cummings, Aron W.

; Roche, Stephan ; Fabian, Jaroslav

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 03 Dez 2020 06:19

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We investigate the electronic band structure of graphene on a series of two-dimensional hexagonal nitride insulators hXN, X = B, A1, and Ga, with first-principles calculations. A symmetry-based model Hamiltonian is employed to extract orbital parameters and spin-orbit coupling (SOC) from the low-energy Dirac bands of the proximitized graphene. While commensurate hBN induces a staggered potential ...

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