Transport properties of band engineered p−n heterostructures of epitaxial Bi2Se3/(Bi1−xSbx)2(Te1−ySey)3 topological insulators

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-450426
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.45042

Mayer, Thomas ; Werner, Heiko ; Diaz-Pardo, R. ; Fujii, J. ; Vobornik, I. ; Back, Christian H.

; Kronseder, Matthias

; Bougeard, Dominique

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 01 Mrz 2021 10:04

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The challenge of parasitic bulk doping in Bi-based 3D topological insulator materials is still omnipresent, especially when preparing samples by molecular beam epitaxy. Here, we present a heterostructure approach for epitaxial (Bi1-xSbx)(2)(Te1-ySey)(3) (BSTS) growth. A thin n-type Bi2Se3 (BS) layer is used as an epitaxial and electrostatic seed which drastically improves the crystalline and ...

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