Data Archive of Transport properties of band engineered p−n heterostructures of epitaxial Bi2Se3/(Bi1−xSbx)2(Te1−ySey)3 topological insulators

Mayer, T., Werner, H., Schmid, F., Diaz-Pardo, R., Fujii, J., Vobornik, I., Back, C. H., Kronseder, M. und Bougeard, D. (2021) Data Archive of Transport properties of band engineered p−n heterostructures of epitaxial Bi2Se3/(Bi1−xSbx)2(Te1−ySey)3 topological insulators. [Datensatz]

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 30 Okt 2024 09:23
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DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.59449

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    Mayer, Thomas, Werner, Heiko, Diaz-Pardo, R., Fujii, J., Vobornik, I., Back, Christian H. , Kronseder, Matthias und Bougeard, Dominique (2021) Transport properties of band engineered p−n heterostructures of epitaxial Bi2Se3/(Bi1−xSbx)2(Te1−ySey)3 topological insulators. Physical Review Materials 5, 014202.

Details

Dokumentenart	Datensatz
Titel eines Journals oder einer Zeitschrift	Physical Review Materials
Band:	5
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:	1
Datum	2021
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Prof. Jörg Wunderlich
Identifikationsnummer	Wert Typ 10.1103/PhysRevMaterials.5.014202 DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
URN der UB Regensburg	urn:nbn:de:bvb:355-epub-594498
Dokumenten-ID	59449

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