Electronic and spin-orbit properties of h-BN encapsulated bilayer graphene

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-547579
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.54757

Zollner, Klaus

; Icking, Eike ; Fabian, Jaroslav

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Okt 2023 05:55

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Dokumentenart:	Artikel
Open Access Art:	SHERPA/RoMEO
Titel eines Journals oder einer Zeitschrift:	Phys. Rev. B
Verlag:	American Physical Society
Band:	108
Seitenbereich:	S. 125126
Datum:	18 September 2023
Institutionen:	Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian
Sonstige Projekte:	SFB 1277: Emergente relativistische Effekte in der Kondensierten Materie: Von grundlegenden Aspekten zu elektronischer Funktionalität, SPP 2244 (Project No. 443416183), Horizon 2020 Grant Agreement No. 881603
Dewey-Dezimal-Klassifikation:	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:	Veröffentlicht
Begutachtet:	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:	Zum Teil
Dokumenten-ID:	54757

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Van der Waals heterostructures consisting of Bernal bilayer graphene (BLG) and hexagonal boron nitride (hBN) are investigated. By performing first-principles calculations, we capture the essential BLG band structure features for several stacking and encapsulation scenarios. A low-energy model Hamiltonian, comprising orbital and spin-orbit coupling (SOC) terms, is employed to reproduce the ...

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