Data archive of "All-electrical creation and control of spin-galvanic signal in graphene and molybdenum ditelluride heterostructures at room temperature"

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-593172
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.59317

Hoque, Anamul Md.

; Khokhriakov, Dmitrii

; Zollner, Klaus ; Zhao, Bing

; Karpiak, Bogdan ; Fabian, Jaroslav

; Dash, Saroj P.

ZIP-Archiv - Daten
(43MB)

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 07 Okt 2024 11:49

Alternative Links zum Volltext:DOI Verlag

Verknüpfung von Datensätzen

Details

Bibliographische Daten exportieren

Zusammenfassung

By using 2D materials heterostructures it is possible to exploit the properties of both materials at the interface, for instance, spin-dependent transport for application in spintronic devices. Here, using a heterostructure of MoTe2/Graphene the authors demonstrate a proximity induced spin-galvanic effect which can be controlled by the gate voltage. The ability to engineer new states of matter ...

Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloadstatistik

Altmetric

Alternative Statistik (altmetrics)

Weitere Literatur (mittels CORE)

Verknüpfung von Datensätzen

Details

Bibliographische Daten exportieren

Zusammenfassung

Zusammenfassung

Downloadstatistik

Downloads

Alternative Statistik (altmetrics)

Weitere Literatur (mittels CORE)

Universitätsbibliothek