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Electrostatically trapping indirect excitons in coupled InxGa1−xAs quantum wells

Schinner, G. J. ; Schubert, E. ; Stallhofer, M. P. ; Kotthaus, J. P. ; Schuh, D. ; Rai, A. K. ; Reuter, D. ; Wieck, A. D. ; Govorov, A. O.



Zusammenfassung

We report on photoluminescence experiments on spatially indirect excitons in an InGaAs coupled double quantum well device in which semitransparent gates are employed to tune the in-plane potential landscape. We introduce a trapping configuration in which exciton generation is spatially separated from the excitonic trapping potential. Suitably biased gates control the flow of indirect dipolar ...

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