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Determination of the band gap and the split-off band in wurtzite GaAs using Raman and photoluminescence excitation spectroscopy

Ketterer, Bernt ; Heiss, Martin ; Livrozet, Marie J. ; Rudolph, Andreas ; Reiger, Elisabeth ; Fontcuberta i Morral, Anna



Zusammenfassung

GaAs nanowires with 100% wurtzite structure are synthesized by the vapor-liquid-solid method in a molecular beam epitaxy system, using gold as a catalyst. We use resonant Raman spectroscopy and photoluminescence to determine the position of the crystal-field split-off band of hexagonal wurtzite GaAs. The temperature dependence of this transition enables us to extract the value at 0 K, which is ...

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