Wunderer, T. ; Feneberg, M. 
; Lipski, F. ; Wang, J. ; Leute, R. A. R. ; Schwaiger, S. ; Thonke, K. ; Chuvilin, A. ; Kaiser, U. ; Metzner, S. ; Bertram, F. ; Christen, J. ; Beirne, G. J. ; Jetter, M. ; Michler, P. ; Schade, L. ; Vierheilig, C. ; Schwarz, U. T. ; Dräger, A. D. ; Hangleiter, A. ; Scholz, F.
; Lipski, F. ; Wang, J. ; Leute, R. A. R. ; Schwaiger, S. ; Thonke, K. ; Chuvilin, A. ; Kaiser, U. ; Metzner, S. ; Bertram, F. ; Christen, J. ; Beirne, G. J. ; Jetter, M. ; Michler, P. ; Schade, L. ; Vierheilig, C. ; Schwarz, U. T. ; Dräger, A. D. ; Hangleiter, A. ; Scholz, F. Zusammenfassung
Selective-area epitaxy is used to form three-dimensional (3D) GaN structures providing semipolar crystal facets. On full 2-in. sapphire wafers we demonstrate the realization of excellent semipolar material quality by introducing inverse GaN pyramids. When depositing InGaN quantum wells on such a surface, the specific geometry influences thickness and composition of the films and can be nicely ...
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
Altmetric