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Self-organized MnAs quantum dots formed during annealing of GaMnAs under arsenic capping

Sadowski, J. ; Janik, E. ; Lusakowska, E. ; Domagala, J. Z. ; Kret, S. ; Dlużewski, P. ; Adell, M. ; Kanski, J. ; Ilver, L. ; Brucas, R. ; Hanson, M.



Zusammenfassung

Formation of MnAs quantum dots in a regular ring-like distribution has been found on molecular beam epitaxy grown (GaMn)As(100) surfaces after low-temperature annealing under As capping. The appearance of the dots depends on the thickness and Mn concentration in the (GaMn)As layer. With 5 at. % substitutional Mn the quantum dots showed up for layers thicker than 100 nm. For thinner layers the ...

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