Sztucki, M. ; Schülli, T. U. ; Metzger, T. H. ; Chamard, V. 
; Schuster, R. ; Schuh, D.
Alternative Links zum Volltext:DOIVerlag
| Dokumentenart: | Artikel |
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| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift: | Applied Physics Letters |
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| Verlag: | AMER INST PHYSICS |
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| Ort der Veröffentlichung: | MELVILLE |
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| Band: | 83 |
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| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 5 |
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| Seitenbereich: | S. 872-874 |
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| Datum: | 2003 |
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| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik |
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| Identifikationsnummer: | | Wert | Typ |
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| 10.1063/1.1597962 | DOI |
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| Stichwörter / Keywords: | ASSEMBLED GE ISLANDS; NANOSTRUCTURES; EPITAXY; SURFACE; WELLS; GAAS; GAS; |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
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| Status: | Veröffentlicht |
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| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet |
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| An der Universität Regensburg entstanden: | Ja |
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| Dokumenten-ID: | 72122 |
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Zusammenfassung
A GaAs surface layer of 10 nm thickness was grown on the cleaved edge of an In0.1Al0.9As/Al0.33Ga0.67As multilayer in order to induce a lateral periodic strain modulation. We apply surface sensitive grazing incidence x-ray diffraction to distinguish between compositional/morphological and purely strain induced modulations. The experimentally determined strain profile is confirmed by ...
Zusammenfassung
A GaAs surface layer of 10 nm thickness was grown on the cleaved edge of an In0.1Al0.9As/Al0.33Ga0.67As multilayer in order to induce a lateral periodic strain modulation. We apply surface sensitive grazing incidence x-ray diffraction to distinguish between compositional/morphological and purely strain induced modulations. The experimentally determined strain profile is confirmed by finite-element model calculations. The GaAs layer is found to be purely strain modulated with an average lattice parameter change of (0.8+/-0.1)% with respect to relaxed GaAs. (C) 2003 American Institute of Physics.
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