Sztucki, M. ; Schülli, T. U. ; Metzger, T. H. ; Chamard, V. ; Schuster, R. ; Schuh, D.
Alternative Links zum Volltext:DOIVerlag
Dokumentenart: | Artikel |
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Titel eines Journals oder einer Zeitschrift: | Applied Physics Letters |
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Verlag: | AMER INST PHYSICS |
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Ort der Veröffentlichung: | MELVILLE |
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Band: | 83 |
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Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 5 |
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Seitenbereich: | S. 872-874 |
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Datum: | 2003 |
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Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik |
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Identifikationsnummer: | Wert | Typ |
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10.1063/1.1597962 | DOI |
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Stichwörter / Keywords: | ASSEMBLED GE ISLANDS; NANOSTRUCTURES; EPITAXY; SURFACE; WELLS; GAAS; GAS; |
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Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
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Status: | Veröffentlicht |
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Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet |
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An der Universität Regensburg entstanden: | Ja |
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Dokumenten-ID: | 72122 |
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Zusammenfassung
A GaAs surface layer of 10 nm thickness was grown on the cleaved edge of an In0.1Al0.9As/Al0.33Ga0.67As multilayer in order to induce a lateral periodic strain modulation. We apply surface sensitive grazing incidence x-ray diffraction to distinguish between compositional/morphological and purely strain induced modulations. The experimentally determined strain profile is confirmed by ...
Zusammenfassung
A GaAs surface layer of 10 nm thickness was grown on the cleaved edge of an In0.1Al0.9As/Al0.33Ga0.67As multilayer in order to induce a lateral periodic strain modulation. We apply surface sensitive grazing incidence x-ray diffraction to distinguish between compositional/morphological and purely strain induced modulations. The experimentally determined strain profile is confirmed by finite-element model calculations. The GaAs layer is found to be purely strain modulated with an average lattice parameter change of (0.8+/-0.1)% with respect to relaxed GaAs. (C) 2003 American Institute of Physics.