Excitonic signatures of ferroelectric order in parallel-stacked MoS2

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-763911
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.76391

Deb, Swarup ; Krause, Johannes ; Faria Junior, Paulo E.

; Kempf, Michael Andreas ; Schwartz, Rico ; Watanabe, Kenji

; Taniguchi, Takashi ; Fabian, Jaroslav

; Korn, Tobias

Lizenz: Creative Commons Namensnennung 4.0 International
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 20 Mrz 2025 08:18

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Interfacial ferroelectricity, prevalent in various parallel-stacked layered materials, allows switching of out-of-plane ferroelectric order by in-plane sliding of adjacent layers. Its resilience against doping potentially enables next-generation storage and logic devices. However, studies have been limited to indirect sensing or visualization of ferroelectricity. For transition metal ...

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