Electrical Manipulation of Intervalley Trions in Twisted MoSe2 Homobilayers at Room Temperature

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-763963
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.76396

Rosa, Bárbara L. T. ; Faria Junior, Paulo E.

; Cadore, Alisson R.

; Yang, Yuhui ; Koulas-Simons, Aris ; Palekar, Chirag C. ; Tongay, Seth Ariel

; Fabian, Jaroslav

; Reitzenstein, Stephan

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 20 Mrz 2025 17:10

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Zusammenfassung

The impressive physics and applications of intra- and interlayer excitons in a transition metal dichalcogenide twisted-bilayer make these systems compelling platforms for exploring the manipulation of their optoelectronic properties through electrical fields. This work studies the electrical control of excitonic complexes in twisted MoSe2 homobilayer devices at room temperature. Gate-dependent ...