Metal-nanoparticle single-electron transistors fabricated using electromigration

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-790939
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.79093

Bolotin, K. I. ; Kuemmeth, Ferdinand

; Pasupathy, A. N. ; Ralph, D. C.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 07 Apr 2026 08:51

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We have fabricated single-electron transistors from individual metal nanoparticles using a geometry that provides improved coupling between the particle and the gate electrode. This is accomplished by incorporating a nanoparticle into a gap created between two electrodes using electromigration, all on top of an oxidized aluminum gate. We achieve sufficient gate coupling to access more than ten ...

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