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Anisotropic Magnetoresistance and Anisotropic Tunneling Magnetoresistance due to Quantum Interference in Ferromagnetic Metal Break Junctions

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-790961
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.79096
Bolotin, Kirill I. ; Kuemmeth, Ferdinand ; Ralph, D. C.
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 07 Apr 2026 09:56



Zusammenfassung

We measure the low-temperature resistance of permalloy break junctions as a function of contact size and the magnetic field angle in applied fields large enough to saturate the magnetization. For both nanometer-scale metallic contacts and tunneling devices we observe large changes in resistance with the angle, as large as 25% in the tunneling regime. The pattern of magnetoresistance is sensitive ...

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