Hole Spin Coherence in a Ge/Si Heterostructure Nanowire

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-791186
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.79118

Higginbotham, A. P. ; Larsen, T. W. ; Yao, J. ; Yan, H. ; Lieber, C. M. ; Marcus, C. M. ; Kuemmeth, Ferdinand

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 08 Apr 2026 12:05

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Relaxation and dephasing of hole spins are measured in a gate-defined Ge/Si nanowire double quantum dot using a fast pulsed-gate method and dispersive readout. An inhomogeneous dephasing time T2* ∼ 0.18 μs exceeds corresponding measurements in III–V semiconductors by more than an order of magnitude, as expected for predominately nuclear-spin-free materials. Dephasing is observed to be exponential ...

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