Hard gap in epitaxial semiconductor–superconductor nanowires

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-791387
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.79138

Chang, W. ; Albrecht, S. M. ; Jespersen, T. S. ; Kuemmeth, Ferdinand

; Krogstrup, P. ; Nygård, J. ; Marcus, C. M.

PDF - Eingereichte Version
arxiv v2
(7MB)

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 09 Apr 2026 04:39

Alternative Links zum Volltext:DOI Arxiv Verlag

Details

Vorschau: arxiv v2

Bibliographische Daten exportieren

Zusammenfassung

Many present and future applications of superconductivity would benefit from electrostatic control of carrier density and tunnelling rates, the hallmark of semiconductor devices. One particularly exciting application is the realization of topological superconductivity1 as a basis for quantum information processing2,3. Proposals in this direction based on the proximity effect in semiconductor ...

Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloadstatistik

Altmetric

Alternative Statistik (altmetrics)

Weitere Literatur (mittels CORE)

Details

Vorschau: arxiv v2

Bibliographische Daten exportieren

Zusammenfassung

Zusammenfassung

Downloadstatistik

Downloads

Alternative Statistik (altmetrics)

Weitere Literatur (mittels CORE)

Universitätsbibliothek