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- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-791419
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.79141
Zusammenfassung
We demonstrate a substantial improvement in the spin-exchange gate using symmetric control instead of conventional detuning in GaAs spin qubits, up to a factor of six increase in the quality factor of the gate. For symmetric operation, nanosecond voltage pulses are applied to the barrier that controls the interdot potential between quantum dots, modulating the exchange interaction while ...

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