Gate reflectometry in dense quantum dot arrays

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-791875
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.79187

Ansaloni, Fabio ; Bohuslavskyi, Heorhii ; Fedele, Federico ; Rasmussen, Torbjørn ; Brovang, Bertram ; Berritta, Fabrizio ; Heskes, Amber ; Li, Jing ; Hutin, Louis ; Venitucci, Benjamin ; Bertrand, Benoit ; Vinet, Maud ; Niquet, Yann-Michel ; Chatterjee, Anasua ; Kuemmeth, Ferdinand

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 09 Apr 2026 09:40

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Silicon quantum devices are maturing from academic single- and two-qubit devices to industrially-fabricated dense quantum-dot (QD) arrays, increasing operational complexity and the need for better pulsed-gate and readout techniques. We perform gate-voltage pulsing and gate-based reflectometry measurements on a dense 2 × 2 array of silicon QDs fabricated in a 300 mm-wafer foundry. Utilizing the ...

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