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| PDF - Entwurfsversion arXiv PDF (20.04.2009) (317kB) |
- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-89686
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.8968
Zusammenfassung
We report experiments on epitaxially grown Fe/GaAs/Au tunnel junctions demonstrating that the magnitude of the tunneling anisotropic magnetoresistance (TAMR) effect can be controlled by magnetic field strength. Theoretical modeling shows that the interplay of the orbital effects of a magnetic field and the Dresselhaus spin-orbit coupling in the GaAs barrier leads to an independent contribution to ...
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