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, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Miler, A., Lugauer, H., Brüderl, G., Lell, A. und Härle, V.
(2006)
Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates.
Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
, Feicht, Georg, Wegscheider, Werner, Engl, K., Furitsch, M., Leber, A., Lell, A. und Härle, V.
(2006)
Microscopic analysis of optical gain in InGaN/GaN quantum wells.
Applied Physics Letters 88, 021104.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
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