Startseite UR
![]() | Eine Stufe nach oben |
, Zweck, Josef, Weyers, Markus
und Kneissl, Michael
(2012)
Topography of (202¯1) AlGaN, GaN and InGaN layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy.
Journal of Crystal Growth 356, S. 70-74.
Volltext nicht vorhanden.
Publikationsserver
Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394
Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904
Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707