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Artikel
Svrcek, Vladimir,
Kolenda, Marek,
Kadys, Arunas,
Reklaitis, Ignas,
Dobrovolskas, Darius,
Malinauskas, Tadas,
Lozach, Mickael,
Mariotti, Davide,
Strassburg, Martin und
Tomašiūnas, Roland
(2018)
Significant Carrier Extraction Enhancement at the Interface of an InN/p-GaN Heterojunction under Reverse Bias Voltage.
Nanomaterials 8 (12), S. 1039.
Volltext nicht vorhanden.
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