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Einträge von Ren, Bin auf dem Publikationsserver
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Anzahl der Einträge: 3.
Wu, Si-Si, Huang, Teng-Xiang, Xu, Xiaolan, Bao, Yi-Fan, Pei, Xin-Di, Yao, Xu, Cao, Mao-Feng, Lin, Kai-Qiang 
, Wang, Xiang , Wang, Dongdong und Ren, Bin
(2022)
Quantitatively Deciphering Electronic Properties of Defects at Atomically Thin Transition-Metal Dichalcogenides.
ACS Nano 16 (3), S. 4786-4794.
Volltext nicht vorhanden.
, Wang, Xiang , Wang, Dongdong und Ren, Bin
(2022)
Quantitatively Deciphering Electronic Properties of Defects at Atomically Thin Transition-Metal Dichalcogenides.
ACS Nano 16 (3), S. 4786-4794.
Volltext nicht vorhanden.
Inagaki, Motoharu, Isogai, Taichi, Motobayashi, Kenta , Lin, Kai-Qiang , Ren, Bin und Ikeda, Katsuyoshi
(2020)
Electronic and vibrational surface-enhanced Raman scattering: from atomically defined Au(111) and (100) to roughened Au.
Chemical Science 11 (36), S. 9807-9817.
Volltext nicht vorhanden.
, Lin, Kai-Qiang , Ren, Bin und Ikeda, Katsuyoshi
(2020)
Electronic and vibrational surface-enhanced Raman scattering: from atomically defined Au(111) and (100) to roughened Au.
Chemical Science 11 (36), S. 9807-9817.
Volltext nicht vorhanden.
Wu, Si-Si, Huang, Teng-Xiang, Lin, Kai-Qiang , Yao, Xu, Hu, Jing-Ting, Tang, Ding-Liang, Bao, Yi-Fan und Ren, Bin
(2019)
Photo-induced exfoliation of monolayer transition metal dichalcogenide semiconductors.
2D Materials 6 (4), 045052.
Volltext nicht vorhanden.
, Yao, Xu, Hu, Jing-Ting, Tang, Ding-Liang, Bao, Yi-Fan und Ren, Bin
(2019)
Photo-induced exfoliation of monolayer transition metal dichalcogenide semiconductors.
2D Materials 6 (4), 045052.
Volltext nicht vorhanden.
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