Anzahl der Einträge: 4.
2019
Liu, W.,
Rossbach, G.,
Avramescu, A.,
Schimpke, T.,
Lugauer, H.-J.,
Strassburg, M.,
Mounir, C.,
Schwarz, U. T.,
Deveaud, B. und
Jacopin, G.
(2019)
Impact of alloy disorder on Auger recombination in single InGaN/GaN core-shell microrods.
Physical Review B 100 (23).
Volltext nicht vorhanden.
2018
Liu, W.,
Mounir, C.,
Rossbach, G.,
Schimpke, T.,
Avramescu, A.,
Lugauer, H.-J.,
Strassburg, M.,
Schwarz, U.,
Deveaud, B. und
Jacopin, G.
(2018)
Spatially dependent carrier dynamics in single InGaN/GaN core-shell microrod by time-resolved cathodoluminescence.
Applied Physics Letters 112 (5), 052106.
Volltext nicht vorhanden.
2016
Mohajerani, M. S.,
Khachadorian, S.,
Schimpke, T.,
Nenstiel, C.,
Hartmann, J.,
Ledig, J.,
Avramescu, A.,
Strassburg, M.,
Hoffmann, A. und
Waag, A.
(2016)
Evaluation of local free carrier concentrations in individual heavily-doped GaN:Si micro-rods by micro-Raman spectroscopy.
Applied Physics Letters 108 (9), 091112.
Volltext nicht vorhanden.
Yu, F.,
Rümmler, D.,
Hartmann, J.,
Caccamo, L.,
Schimpke, T.,
Strassburg, M.,
Gad, A. E.,
Bakin, A.,
Wehmann, H.-H.,
Witzigmann, B.,
Wasisto, H. S. und
Waag, A.
(2016)
Vertical architecture for enhancement mode power transistors based on GaN nanowires.
Applied Physics Letters 108 (21), S. 213503.
Volltext nicht vorhanden.
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