Einträge von Shealy, J. R. auf dem Publikationsserver

Kaiser, S., Jakob, M., Zweck, J., Gebhardt, W., Ambacher, O., Dimitrov, R., Schremer, A. T., Smart, J. A. und Shealy, J. R. (2000) Structural properties of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrates suitable for high-electron mobility transistors. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 18 (2), S. 733-740. Volltext nicht vorhanden.