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Low-temperature electronic transport measurements on a gated delta -doped GaAs sample: magnetoresistance, quantum Hall effect and conductivity fluctuations

Dötzer, R. und Friedland, K. J. und Hey, R. und Kostial, H. und Miehling, H. und Schoepe, Wilfried (1994) Low-temperature electronic transport measurements on a gated delta -doped GaAs sample: magnetoresistance, quantum Hall effect and conductivity fluctuations. Semiconductor Science and Technology 9 (7), S. 1332-1339.

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Zusammenfassung

We present magnetotransport measurements (up to 7 T) performed at very low temperatures (down to 20 mK) on a GaAs sample containing two parallel delta -doped layers whose carrier concentration can be varied by means of a gate electrode. With increasing negative gate voltage the resistance becomes more strongly temperature-dependent, indicating a more localized electron system. The ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1994
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Prof. Wilfried Schoepe
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/0268-1242/9/7/006DOI
Klassifikation:
NotationArt
72.20.My Galvanomagnetic and other magnetotransport effectsPACS
73.43.Qt MagnetoresistancePACS
72.80.Ey III-V and II-VI semiconductorsPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:17 Dez 2010 07:11
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 14:32
Dokumenten-ID:18802
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