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Pattern formation and directional and spatial ordering of edge dislocations in bulk GaN: Micro-photoluminescence spectra and continuum elastic calculations

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-25795
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.2579
Schwarz, Uli ;
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PDF - Veröffentlichte Version
(944kB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:40



Zusammenfassung

We present a detailed microphotoluminescence study of the long-range strain fields surrounding threading dislocations as well as their interaction and pattern formation in GaN bulk crystals. The stress patterns are detected by tiny energy shifts of the near-band-edge spectral lines and show a dipolelike stress state around the dislocation core of edge- or mixed-type dislocations, with an angular ...

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