Semimetallic and semiconducting graphene-h\mathrmBN multilayers with parallel or reverse stacking - Publikationsserver der Universität Regensburg

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-547588

Chen, Xi ; Zollner, Klaus

; Moulsdale, Christian ; Fal'ko, Vladimir I. ; Knothe, Angelika

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Okt 2023 06:03

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Dokumentenart:	Artikel
Open Access Art:	SHERPA/RoMEO
Titel eines Journals oder einer Zeitschrift:	Phys. Rev. B
Verlag:	American Physical Society
Band:	107
Seitenbereich:	S. 125402
Datum:	6 März 2023
Institutionen:	Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Klaus Richter Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian
Sonstige Projekte:	SFB 1277: Emergente relativistische Effekte in der Kondensierten Materie: Von grundlegenden Aspekten zu elektronischer Funktionalität, SPP 2244 (Project No. 443416183), Horizon 2020 Grant Agreement No. 881603
Dewey-Dezimal-Klassifikation:	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:	Veröffentlicht
Begutachtet:	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:	Zum Teil
Dokumenten-ID:	54758

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We theoretically investigate three-dimensional (3D) layered crystals of alternating graphene and hBN layers with different symmetries. Depending on the hopping parameters between the graphene layers, we find that these synthetic 3D materials can feature semimetallic, gapped, or Weyl semimetal phases. Using first-principles calculations to parametrize the low-energy Hamiltonians we establish the ...

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