Probing the electronic structure at the boundary of topological insulators in the Bi2⁢Se3 family by combined scanning tunneling and atomic force microscopy

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-766424
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.76642

Setescak, Christoph Stephen

; Aguilera, Irene ; Weindl, Adrian

; Kronseder, Matthias

; Donarini, Andrea

; Giessibl, Franz J.

PDF - Veröffentlichte Version
(3MB)

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 06 Mai 2025 07:03

Alternative Links zum Volltext:DOI Verlag

Details

Vorschau

Bibliographische Daten exportieren

Zusammenfassung

We develop a numerical scheme for the calculation of tunneling current I and differential conductance dI/dV of metal- and CO-terminated STM tips on the topological insulators Bi2Se3, Bi2Te2Se as well as Bi2Te3, and find excellent agreement with experiment. The calculation is an application of Chen's derivative rule, whereby the Bloch functions are obtained from Wannier-interpolated tight-binding ...

Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloadstatistik

Altmetric

Alternative Statistik (altmetrics)

Weitere Literatur (mittels CORE)

Details

Vorschau

Bibliographische Daten exportieren

Zusammenfassung

Zusammenfassung

Downloadstatistik

Downloads

Alternative Statistik (altmetrics)

Weitere Literatur (mittels CORE)

Universitätsbibliothek