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Artikel

Able, Andreas, Wegscheider, Werner, Engl, Karl und Zweck, Josef (2005) Growth of crack-free GaN on Si(1 1 1) with graded AlGaN buffer layers. Journal of Crystal Growth 276 (3-4), S. 415-418. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Hochschulschrift der Universität Regensburg

Able, Andreas (2005) Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe III Nitriden auf Silizium (111). Dissertation, Universität Regensburg.

Diese Liste wurde erzeugt am Mon Dec 30 02:17:47 2024 CET.
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