Einträge von Bean, John Condon auf dem Publikationsserver

Wegscheider, Werner, Eberl, Karl, Abstreiter, Gerhard, Cerva, Hans und Oppolzer, Helmut (1991) Comparison of Growth and Strain Relaxation of Si/Ge Superlattices under Compressive and Tensile Strain Field. In: Bean, John Condon, (ed.) Silicon molecular beam epitaxy: symposium held April 29- May 3, 1991, Anaheim, California, USA. Materials Research Society symposium proceedings, 220. Materials Research Society, Pittsburgh, Pennsylvania, USA, S. 135. ISBN 1-558-99114-X. Volltext nicht vorhanden.