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Artikel
Buchkapitel
Wegscheider, Werner,
Eberl, Karl,
Abstreiter, Gerhard,
Cerva, Hans und
Oppolzer, Helmut
(1991)
Comparison of Growth and Strain Relaxation of Si/Ge Superlattices under Compressive and Tensile Strain Field.
In:
Bean, John Condon, (ed.)
Silicon molecular beam epitaxy: symposium held April 29- May 3, 1991, Anaheim, California, USA.
Materials Research Society symposium proceedings, 220.
Materials Research Society, Pittsburgh, Pennsylvania, USA, S. 135.
ISBN 1-558-99114-X.
Volltext nicht vorhanden.
Wegscheider, Werner,
Eberl, Karl,
Abstreiter, Gerhard,
Cerva, Hans und
Oppolzer, H.
(1991)
High-Resolution Imaging of Twin Intersections in Si/Ge Superlattices on Ge(001) Substrates.
In:
Cullis, Anthony G., (ed.)
Microscopy of semiconducting materials 1991.
Conference series, 117.
Institute of Physics, Bristol, S. 21.
ISBN 0-85498-406-2.
Volltext nicht vorhanden.
Wegscheider, Werner,
Eberl, Karl,
Abstreiter, Gerhard,
Cerva, Hans und
Oppolzer, Helmut
(1990)
New relaxation mechanism in short period strained-layer superlattices.
In:
Sinclair, Robert, (ed.)
High resolution electron microscopy of defects in materials: symposium held April 16.-18., 1990, San Francisco, California, USA.
Materials Research Society symposium proceedings, 183.
Materials Research Society, Pittsburgh, Pennsylvania, USA, S. 155.
ISBN 1-558-99072-0.
Volltext nicht vorhanden.
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