Einträge von Gebhardt, W. auf dem Publikationsserver
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As, D. J., Frey, T., Schikora, D., Lischka, K., Cimalla, V., Pezoldt, J., Goldhahn, R.
, Kaiser, S. und Gebhardt, W.
(2000)
Cubic GaN epilayers grown by molecular beam epitaxy on thin β-SiC/Si (001) substrates.
Applied Physics Letters 76 (13), S. 1686-1688.
Volltext nicht vorhanden.
, Kaiser, S. und Gebhardt, W.
(2000)
Cubic GaN epilayers grown by molecular beam epitaxy on thin β-SiC/Si (001) substrates.
Applied Physics Letters 76 (13), S. 1686-1688.
Volltext nicht vorhanden.
Kaiser, S., Jakob, M., Zweck, J., Gebhardt, W., Ambacher, O., Dimitrov, R., Schremer, A. T., Smart, J. A. und Shealy, J. R.
(2000)
Structural properties of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrates suitable for high-electron mobility transistors.
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 18 (2), S. 733-740.
Volltext nicht vorhanden.
