Anzahl der Einträge: 2.
2000
As, D. J.,
Frey, T.,
Schikora, D.,
Lischka, K.,
Cimalla, V.,
Pezoldt, J.,
Goldhahn, R. ,
Kaiser, S. und
Gebhardt, W.
(2000)
Cubic GaN epilayers grown by molecular beam epitaxy on thin β-SiC/Si (001) substrates.
Applied Physics Letters 76 (13), S. 1686-1688.
Volltext nicht vorhanden.
Kaiser, S.,
Jakob, M.,
Zweck, J.,
Gebhardt, W.,
Ambacher, O.,
Dimitrov, R.,
Schremer, A. T.,
Smart, J. A. und
Shealy, J. R.
(2000)
Structural properties of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrates suitable for high-electron mobility transistors.
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 18 (2), S. 733-740.
Volltext nicht vorhanden.
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