Einträge von Goetz, W. auf dem Publikationsserver

Ganichev, Sergey, Ziemann, E., Yassievich, Irina, Schmalz, K. und Prettl, Wilhelm (1998) Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunnel ionization. In: Ashok, S. und Chevallier, J. und Sumino, K. und Sopori, B. L. und Goetz, W., (eds.) Defect and impurity engineered semiconductors II: symposium held [at the 1998 MRS Spring Meeting], April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A. Materials Research Society symposium proceedings, 510. Materials Research Society, Warrendale, Pa., S. 595. ISBN 1-558-99416-5. Volltext nicht vorhanden.