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Einträge von Hartmann, J. auf dem Publikationsserver
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Mohajerani, M. S., Khachadorian, S., Schimpke, T., Nenstiel, C., Hartmann, J., Ledig, J., Avramescu, A., Strassburg, M., Hoffmann, A. und Waag, A.
(2016)
Evaluation of local free carrier concentrations in individual heavily-doped GaN:Si micro-rods by micro-Raman spectroscopy.
Applied Physics Letters 108 (9), 091112.
Volltext nicht vorhanden.
Yu, F., Rümmler, D., Hartmann, J., Caccamo, L., Schimpke, T., Strassburg, M., Gad, A. E., Bakin, A., Wehmann, H.-H., Witzigmann, B., Wasisto, H. S. und Waag, A.
(2016)
Vertical architecture for enhancement mode power transistors based on GaN nanowires.
Applied Physics Letters 108 (21), S. 213503.
Volltext nicht vorhanden.
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