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Publikationen von Lechner, Vera
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Artikel
Kohda, M., Lechner, Vera, Kunihashi, Y., Dollinger, Tobias, Olbrich, Peter, Schönhuber, Christoph, Caspers, Ines, Belkov, Vassilij, Golub, Leonid, Weiss, Dieter, Richter, Klaus, Nitta, J. und Ganichev, Sergey
(2012)
Gate-controlled persistent spin helix state in (In,Ga)As quantum wells.
Physical Review B (PRB) 8 (86), 081306.
Lechner, Vera, Golub, Leonid, Lomakina, F., Belkov, Vassilij, Olbrich, Peter, Stachel, Sebastian, Caspers, Ines, Griesbeck, Michael, Kugler, Michael, Hirmer, Michael, Korn, Tobias, Schueller, Christian, Schuh, Dieter, Wegscheider, Werner und Ganichev, Sergey
(2011)
Spin and orbital mechanisms of the magnetogyrotropic photogalvanic effects in GaAs/AlxGa1-xAs quantum well structures.
Physical Review B (PRB) 83 (15), S. 155313.
Drexler, Christoph, Belkov, Vassilij, Ashkinadze, B., Olbrich, Peter, Zoth, Christina, Lechner, Vera, Terent'ev, Ya. V., Yakovlev, D. R., Karczewski, G., Wojtowicz, Tomasz, Schuh, Dieter, Wegscheider, Werner und Ganichev, Sergey
(2010)
Spin polarized electric currents in semiconductor heterostructures induced by microwave radiation.
Applied Physics Letters 97 (18), S. 182107.
Volltext nicht vorhanden.
Lechner, Vera, Golub, Leonid, Olbrich, Peter, Stachel, Sebastian, Schuh, Dieter, Wegscheider, Werner, Belkov, Vassilij und Ganichev, Sergey
(2009)
Tuning of structure inversion asymmetry by the delta-doping position in (001)-grown GaAs quantum wells.
Applied Physics Letters 94, 242109-1-242109-3.
Hochschulschrift der Universität Regensburg
Lechner, Vera
(2012)
Bulk and structure inversion asymmetry in semiconductor quantum well structures.
Dissertation, Universität Regensburg.
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