Startseite UR

Publikationen von Miler, A.

Eine Stufe nach oben
Exportieren als
[feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Gruppieren nach: Datum | Dokumentenart | Keine Gruppierung
Anzahl der Einträge: 3.

Engl, Karl, Beer, Martin, Gmeinwieser, Nikolaus, Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, Stephan, Miler, A., Lugauer, H.-J., Brüderl, G., Lell, Alfred und Härle, Volker (2006) Influence of an in situ-deposited SiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates. Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Engl, Karl, Beer, Martin, Gmeinwieser, Nikolaus, Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Miler, A., Lugauer, H., Brüderl, G., Lell, A. und Härle, V. (2006) Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates. Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Schoedl, T., Schwarz, Uli, Kümmler, V., Furitsch, M., Leber, A., Miler, A., Lell, A. und Härle, V. (2005) Facet degradation of GaN heterostructure laser diodes. Journal of Appli ed Physics 97, S. 123102. Volltext nicht vorhanden.

Diese Liste wurde erzeugt am Tue Apr 23 21:16:04 2024 CEST.
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner