Anzahl der Einträge: 11.
2003
Belkov, Vassilij,
Ganichev, Sergey,
Schneider, Petra,
Schowalter, D.,
Rössler, Ulrich,
Prettl, Wilhelm,
Ivchenko, Eougenious,
Neumann, Richard,
Brunner, K. und
Abstreiter, Gerhard
(2003)
Spin-photocurrent in p-SiGe quantum wells under terahertz laser irradiation.
Journal of Superconductivity: Incorporating Novel Magnetism 16 (2), S. 415-418.
Belkov, Vassilij,
Ganichev, Sergey,
Schneider, Petra,
Schowalter, D.,
Rössler, Ulrich,
Prettl, Wilhelm,
Ivchenko, E.,
Neumann, Richard,
Brunner, K. und
Abstreiter, Gerhard
(2003)
Spin-Photocurrent in p-SiGe quantum wells under terahertz laser irradiation.
Journal of Superconductivity 16 (2), S. 415-418.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
2002
Ganichev, Sergey,
Rössler, Ulrich,
Prettl, Wilhelm,
Ivchenko, E.,
Belkov, Vassilij,
Neumann, Richard,
Brunner, K. und
Abstreiter, Gerhard
(2002)
Removal of spin-degenerancy in p-SiGe quantum wells demonstrated by spin-photocurrents.
Physical Review B 66 (7), S. 75328.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Ganichev, Sergey,
Rössler, Ulrich,
Prettl, Wilhelm,
Ivchenko, Eougenious,
Belkov, Vassilij,
Neumann, Richard,
Brunner, K. und
Abstreiter, Gerhard
(2002)
Removal of spin degeneracy in SiGe-based nanostructures.
In:
Alferov, Zhores I. und
Esaki, Leo, (eds.)
10th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology.
SPIE proceedings series, 5023.
SPIE, Bellingham, Washington, S. 169.
ISBN 0-8194-4824-9.
Volltext nicht vorhanden.
Ganichev, Sergey,
Rössler, Ulrich,
Kalz, Franz-Peter,
Prettl, Wilhelm,
Neumann, Richard,
Brunner, Karl,
Abstreiter, Gerhard und
Ivchenko, Eougenious
(2002)
Sympos. Circular photogalvanic effect in Si/Ge semiconductor quantum wells.
In:
Klemmer, Timothy J. und
Sun, Jonathan Z. und
Fert, Albert und
Bass, Jack, (eds.)
Materials Research Society symposium proceedings; 690.
MRS, Warrendale, Pa., F3.11.1.
ISBN 1-558-99626-5.
Sollinger, M.,
Ganichev, Sergey,
Kalz, Franz-Peter,
Rössler, Ulrich,
Prettl, Wilhelm,
Ivchenko, Eougenious,
Belkov, Vassilij,
Neumann, Richard,
Brunner, K. und
Abstreiter, Gerhard
(2002)
Photogalvanischer Effekt in Si/Ge-Quantentrögen.
In: Fruehjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 11. - 15. März 2002, Regensburg.
Volltext nicht vorhanden.
Ganichev, Sergey,
Rössler, Ulrich,
Prettl, Wilhelm,
Ivchenko, Eougenious,
Belkov, Vassilij,
Neumann, Richard,
Brunner, K. und
Abstreiter, Gerhard
(2002)
Removal of spin degeneracy in SiGe based nanostructures.
In:
Alferov, Zhores I. und
Esaki, Leo, (eds.)
Nanostructures: physics and technology: 10th international symposium, St. Petersburg, Russia, June 17 - 21, 2002; proceedings.
SPIE proceedings series, 5023.
SPIE, Bellingham, Washington, S. 187-190.
ISBN 0-8194-4824-9.
2001
Ganichev, Sergey,
Kalz, Franz-Peter,
Prettl, Wilhelm,
Neumann, Richard,
Brunner, K.,
Abstreiter, Gerhard und
Ivchenko, Eougenious
(2001)
Circular photogalvanic effect in Si/Ge semiconductor quantum wells.
In: MRS Fall Meeting, 26. - 30. November 2001, Boston, Massachusetts, USA.
Volltext nicht vorhanden.
Ganichev, Sergey,
Rössler, Ulrich,
Prettl, Wilhelm,
Ivchenko, Eougenious,
Belkov, Vassilij,
Neumann, Richard,
Brunner, K. und
Abstreiter, Gerhard
(2001)
Removal of spin degeneracy in SiGe based nanostructures.
In: 9th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, 18. - 22. Juni 2001, St. Petersburg, Russia.
Volltext nicht vorhanden.
1998
1997
Baumgartner, P.,
Wegscheider, Werner,
Bichler, Max,
Schedelbeck, G.,
Neumann, Richard und
Abstreiter, Gerhard
(1997)
Single-electron transistor fabricated by focused laser beam-induced doping of a GaAs/AlGaAs heterostructure.
Applied Physics Letters 70 (16), S. 2135-2137.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
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