Einträge von Range, K.J. auf dem Publikationsserver
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Anzahl der Einträge: 3.
2002
Hoelzl, R., Range, K.J. und Fabry, L.
(2002)
Comparison of different gettering techniques for Cu- p+ versus polysilicon and oxygen precipitates.
Applied Physics A: Materials Science & Processing 75 (5), S. 591-595.
Volltext nicht vorhanden.
Hölzl, R., Fabry, L. und Range, K.J.
(2002)
The linkage between macroscopic gettering mechanisms and electronic configuration of 3d-elements in p/p+ epitaxial silicon wafers.
Applied Physics A 74 (1), S. 35-39.
Volltext nicht vorhanden.
2001
Hölzl, R., Fabry, L. und Range, K.J.
(2001)
Gettering efficiencies for Cu and Ni as a function of size and density of oxygen precipitates in p/p- silicon epitaxial wafers.
Applied Physics A Materials Science & Processing 73 (2), S. 137-142.
Volltext nicht vorhanden.