Anzahl der Einträge: 8.
Arakawa, T.,
Shiogai, J. ,
Maeda, M.,
Ciorga, M.,
Utz, M.,
Schuh, D.,
Niimi, Y. ,
Kohda, M. ,
Nitta, J.,
Bougeard, D.,
Weiss, D. und
Kobayashi, K.
(2020)
Tunneling mechanism in a (Ga,Mn)As/GaAs-based spin Esaki diode investigated by bias-dependent shot noise measurements.
Physical Review B 102 (4).
Volltext nicht vorhanden.
Shiogai, J. ,
Ciorga, M.,
Utz, M.,
Schuh, D.,
Kohda, M.,
Bougeard, D.,
Nojima, T.,
Weiss, D. und
Nitta, J.
(2018)
Spatial variation of dynamic nuclear spin polarization probed by the non-local Hanle effect.
Applied Physics Letters 112 (13), S. 132403.
Volltext nicht vorhanden.
Geißler, S.,
Pfaller, S.,
Utz, M.,
Bougeard, D.,
Donarini, A. ,
Grifoni, M. und
Weiss, D.
(2015)
Double-island Coulomb blockade in (Ga,Mn)As nanoconstrictions.
Physical Review B 91 (19).
Volltext nicht vorhanden.
Oltscher, M.,
Ciorga, M.,
Utz, M.,
Schuh, Dieter,
Bougeard, Dominique und
Weiss, Dieter
(2014)
Electrical Spin Injection into High Mobility 2D Systems.
Physical Review Letters (PRL) 113, S. 236602.
Fujii, J.,
Salles, B. R.,
Sperl, M.,
Ueda, S.,
Kobata, M.,
Kobayashi, K.,
Yamashita, Y.,
Torelli, P. ,
Utz, M.,
Fadley, C. S.,
Gray, A. X.,
Braun, J.,
Ebert, H.,
Di Marco, I. ,
Eriksson, O. ,
Thunström, P.,
Fecher, G. H.,
Stryhanyuk, H. ,
Ikenaga, E.,
Minár, J. ,
Back, C. H. ,
van der Laan, G. und
Panaccione, G.
(2013)
Identifying the Electronic Character and Role of the Mn States in the Valence Band of (Ga,Mn)As.
Physical Review Letters 111 (9).
Volltext nicht vorhanden.
Fujii, J.,
Sperl, Matthias,
Ueda, S.,
Kobayashi, K.,
Yamashita, Y.,
Kobata, M.,
Torelli, P. ,
Borgatti, F.,
Utz, M.,
Fadley, C. S.,
Gray, A. X.,
Monaco, G.,
Back, Christian ,
van der Laan, G. und
Panaccione, G.
(2011)
Identification of Different Electron Screening Behavior Between the Bulk and Surface of (Ga,Mn)As.
Phys. Rev. Lett. 107, S. 187203.
Volltext nicht vorhanden.
Karch, J.,
Tarasenko, S. A.,
Ivchenko, E. L.,
Kamann, J.,
Olbrich, P.,
Utz, M.,
Kvon, Z. D. und
Ganichev, S. D.
(2011)
Photoexcitation of valley-orbit currents in (111)-oriented silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
Phys. Rev. B 83, S. 121312.
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