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Einträge von Utz, M. auf dem Publikationsserver
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Anzahl der Einträge: 5.
2020
Arakawa, T., Shiogai, J. 
, Maeda, M., Ciorga, M., Utz, M., Schuh, D., Niimi, Y. , Kohda, M. , Nitta, J., Bougeard, D., Weiss, D. und Kobayashi, K.
(2020)
Tunneling mechanism in a (Ga,Mn)As/GaAs-based spin Esaki diode investigated by bias-dependent shot noise measurements.
Physical Review B 102 (4).
Volltext nicht vorhanden.
, Maeda, M., Ciorga, M., Utz, M., Schuh, D., Niimi, Y. , Kohda, M. , Nitta, J., Bougeard, D., Weiss, D. und Kobayashi, K.
(2020)
Tunneling mechanism in a (Ga,Mn)As/GaAs-based spin Esaki diode investigated by bias-dependent shot noise measurements.
Physical Review B 102 (4).
Volltext nicht vorhanden.
2018
Shiogai, J. , Ciorga, M., Utz, M., Schuh, D., Kohda, M., Bougeard, D., Nojima, T., Weiss, D. und Nitta, J.
(2018)
Spatial variation of dynamic nuclear spin polarization probed by the non-local Hanle effect.
Applied Physics Letters 112 (13), S. 132403.
Volltext nicht vorhanden.
, Ciorga, M., Utz, M., Schuh, D., Kohda, M., Bougeard, D., Nojima, T., Weiss, D. und Nitta, J.
(2018)
Spatial variation of dynamic nuclear spin polarization probed by the non-local Hanle effect.
Applied Physics Letters 112 (13), S. 132403.
Volltext nicht vorhanden.
2014
Oltscher, M., Ciorga, M., Utz, M., Schuh, Dieter, Bougeard, Dominique und Weiss, Dieter
(2014)
Electrical Spin Injection into High Mobility 2D Systems.
Physical Review Letters (PRL) 113, S. 236602.
2011
Fujii, J., Sperl, Matthias, Ueda, S., Kobayashi, K., Yamashita, Y., Kobata, M., Torelli, P., Borgatti, F., Utz, M., Fadley, C. S., Gray, A. X., Monaco, G., Back, Christian, van der Laan, G. und Panaccione, G.
(2011)
Identification of Different Electron Screening Behavior Between the Bulk and Surface of (Ga,Mn)As.
Phys. Rev. Lett. 107, S. 187203.
Volltext nicht vorhanden.
Karch, J., Tarasenko, S. A., Ivchenko, E. L., Kamann, J., Olbrich, P., Utz, M., Kvon, Z. D. und Ganichev, S. D.
(2011)
Photoexcitation of valley-orbit currents in (111)-oriented silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
Phys. Rev. B 83, S. 121312.
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