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Witzigmann, B., Laino, V., Roemer, F., Lauterbach, C., Schwarz, Uli, Rumbolz, C., Schillgalies, M., Lell, A. und Härle, V. (2007) Analysis of substrate modes in GaN/InGaN Lasers. SPIE proceedings 6468, 64680Q. Volltext nicht vorhanden.

Kojima, K., Funato, M., Kawakami, Y., Braun, Harald, Schwarz, Uli, Nagahama, S. und Mukai, T. (2007) Comparison between optical gain spectra of InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N laser diodes emitting at 404 nm and 470 nm. phys. stat. sol. (a) 204, S. 2108. Volltext nicht vorhanden.

Braun, Harald, Lauterbach, C., Schwarz, Uli, Laino, V., Witzigmann, B., Rumbolz, C., Schillgalies, M., Lell, A. und Härle, V. (2007) Experimental and Theoretical Study of Substrate Modes in (Al,In)GaN Laser Diodes. phys. stat. sol. (c) 4, S. 2772. Volltext nicht vorhanden.

Laino, V., Roemer, F., Witzigmann, B., Lauterbach, C., Schwarz, Uli, Rumbolz, C., Schillgalies, M., Furitsch, M., Lell, A. und Här, V. (2007) Experimental and theoretical study of substrate modes in (Al,In)GaN laser diodes. IEEE J. Quantum Electronics 43, S. 16. Volltext nicht vorhanden.

Schwarz, Uli, Braun, Harald, Kojima, K., Kawakami, Y., Nagahama, S. und Mukai, T. (2007) Interplay of built-in potential and piezoelectric field on carrier recombination in green light emitting InGaN quantum wells. Applied Physics Letters 91, S. 123503. Volltext nicht vorhanden.

Schwarz, Uli, Braun, Harald, Kojima, K., Funato, M., Kawakami, Y., Nagahama, S. und Mukai, T. (2007) Investigation and comparison of optical gain spectra of (Al,In)GaN laser diodes emitting in the 375 nm to 470 nm spectral range. SPIE proceedings 6485, S. 648506. Volltext nicht vorhanden.

Vierheilig, Clemens, Braun, Harald, Schwarz, Uli, Wegscheider, Werner, Baur, E., Strauß, U. und Härle, V. (2007) Lateral Diffusion of Photogenerated Carriers in InGaN/GaN-heterostructures Observed by PL Measurements. phys. stat. sol. (c) 4, S. 2362. Volltext nicht vorhanden.

Laubsch, A., Sabathil, M., Bruederl, G., Wagner, J., Strassburg, M., Baur, E., Braun, Harald, Schwarz, Uli, Lell, A., Lutgen, S., Linder, N., Oberschmid, R. und Hahn, B. (2007) Measurement of the internal quantum efficiency of InGaN quantum wells. Proc. SPIE 6486, 64860J. Volltext nicht vorhanden.

Swietlik, T., Franssen, G., Czernecki, R., Leszczynski, M., Skierbiszewski, C., Grzegory, I., Bohdan, R., Trzeciakowski, W., Suski, T., Perlin, P., Lauterbach, C. und Schwarz, Uli (2007) Mode dynamics of high power (InAl)GaN based laser diodes grown on bulk GaN substrate. Journal of Appli ed Physics 101, 083109. Volltext nicht vorhanden.

Schwarz, Uli und Kneissl, M. (2007) Nitride emitters go nonpolar. phys. stat. solidi (RRL) 1, A44. Volltext nicht vorhanden.

Kojima, K., Schwarz, Uli, Funato, M., Kawakami, Y., Nagahama, S. und Mukai, T. (2007) Optical gain spectra for near UV to aquamarine (Al,In)GaN laser diodes. Optics Express 15, S. 7730. Volltext nicht vorhanden.

Schwarz, Uli (2007) Pattern formation and directional and spatial ordering of edge dislocations in bulk GaN: Micro-photoluminescence spectra and continuum elastic calculations. Physical Review B 75, S. 245213.

Gmeinwieser, N. und Schwarz, Uli (2007) Strain of single edge dislocations in bulk GaN. Physica Status Solidi (B). Volltext nicht vorhanden.

Vierheilig, Clemens, Braun, Harald, Schwarz, Uli, Wegscheider, Werner, Baur, E., Strauß, U. und Härle, V. (2007) Temperature- and excitation density dependency of photoluminescence spectra in InGaN/GaN-heterostructures. phys. stat. sol. (c) 4, S. 179. Volltext nicht vorhanden.

Engl, Karl, Beer, Martin, Gmeinwieser, Nikolaus, Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Miler, A., Lugauer, H., Brüderl, G., Lell, A. und Härle, V. (2006) Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates. Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Witzigmann, B., Laino, V., Luisier, M., Schwarz, Uli, Feicht, Georg, Wegscheider, Werner, Engl, K., Furitsch, M., Leber, A., Lell, A. und Härle, V. (2006) Microscopic analysis of optical gain in InGaN/GaN quantum wells. Applied Physics Letters 88, 021104. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Witzigmann, B., Laino, V., Luisier, M., Schwarz, Uli, Fischer, H., Feicht, Georg, Wegscheider, Werner, Rumbolz, C., Lell, A. und Härle, V. (2006) Analysis of temperature dependent optical gain in GaN/InGaN quantum well structures. IEEE Phot. Tech. Lett. 18, S. 1600. Volltext nicht vorhanden.

Witzigmann, B., Laino, V., Luisier, M., Feicht, Georg und Schwarz, Uli (2006) Simulation and design of optical gain in In(Al)GaN/GaN short wavelength lasers. SPIE proceedings 6184, 61840E. Volltext nicht vorhanden.

Pindl, M. und Schwarz, Uli (2006) Waveguide mode dynamics of blue laser diodes. phys. stat. sol. (a) 203, S. 1787. Volltext nicht vorhanden.

Gmeinwieser, N., Gottfriedsen, P., Schwarz, Uli, Wegscheider, Werner, Clos, R., Krtschil, A., Krost, A., Weimar, A., Brüderl, G., Lell, A. und Härle, V. (2005) Single dislocation induced strain in GaN. Journal of Appli ed Physics 98, S. 116102. Volltext nicht vorhanden.

Schwarz, Uli und Witzigmann, B. (2007) Nitride Semiconductor Devices. In: Optical properties of edge-emitting lasers: measurement and simulation. Wiley-VCH. Volltext nicht vorhanden.