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Artikel
Wang, Junjun,
Meisch, Tobias,
Heinz, Dominik,
Zeller, Raphael und
Scholz, Ferdinand
(2015)
Internal quantum efficiency and carrier injection efficiency ofc-plane, {101‾1} and {112‾2} InGaN/GaN-based light-emitting diodes.
physica status solidi (b) 253 (1), S. 174-179.
Volltext nicht vorhanden.
Hertkorn, J.,
Brückner, P.,
Gao, C.,
Scholz, Ferdinand,
Chuvilin, A.,
Kaiser, U.,
Wurstbauer, Ursula und
Wegscheider, Werner
(2008)
Transport properties in n-type AlGaN/AlN/GaN-superlattices.
physica status solidi (c) 5 (6), S. 1950-1952.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Schwarz, Ulrich,
Pindl, Markus,
Wegscheider, Werner,
Eichler, Christoph,
Scholz, Ferdinand,
Furitsch, Michael,
Leber, Andreas,
Miller, Stephan,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2005)
Near-field and far-field dynamics of (Al,In)GaN laser diodes.
Applied Physics Letters 80 (16), S. 161112.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
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