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Wang, Junjun, Meisch, Tobias, Heinz, Dominik, Zeller, Raphael und Scholz, Ferdinand (2015) Internal quantum efficiency and carrier injection efficiency ofc-plane, {101‾1} and {112‾2} InGaN/GaN-based light-emitting diodes. physica status solidi (b) 253 (1), S. 174-179. Volltext nicht vorhanden.

Hertkorn, J., Brückner, P., Gao, C., Scholz, Ferdinand, Chuvilin, A., Kaiser, U., Wurstbauer, Ursula und Wegscheider, Werner (2008) Transport properties in n-type AlGaN/AlN/GaN-superlattices. physica status solidi (c) 5 (6), S. 1950-1952. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Schwarz, Ulrich, Pindl, Markus, Wegscheider, Werner, Eichler, Christoph, Scholz, Ferdinand, Furitsch, Michael, Leber, Andreas, Miller, Stephan, Lell, Alfred und Härle, Volker (2005) Near-field and far-field dynamics of (Al,In)GaN laser diodes. Applied Physics Letters 80 (16), S. 161112. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

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