Anzahl der Einträge: 3.
2018
Steib, Frederik,
Remmele, Thilo,
Gülink, Jan,
Fündling, Sönke,
Behres, Alexander,
Wehmann, Hergo-Heinrich,
Albrecht, Martin,
Straßburg, Martin,
Lugauer, Hans-Jürgen und
Waag, Andreas
(2018)
Defect generation by nitrogen during pulsed sputter deposition of GaN.
Journal of Applied Physics 124 (17), S. 175701.
Volltext nicht vorhanden.
2016
Hartmann, Jana,
Steib, Frederik,
Zhou, Hao,
Ledig, Johannes,
Fündling, Sönke,
Albrecht, Friederike,
Schimpke, Tilman,
Avramescu, Adrian,
Varghese, Tansen,
Wehmann, Hergo-Heinrich,
Straßburg, Martin,
Lugauer, Hans-Jürgen und
Waag, Andreas
(2016)
High Aspect Ratio GaN Fin Microstructures with Nonpolar Sidewalls by Continuous Mode Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
Crystal Growth & Design 16 (3), S. 1458-1462.
Volltext nicht vorhanden.
Nippert, Felix,
Karpov, Sergey Yu.,
Callsen, Gordon,
Galler, Bastian,
Kure, Thomas,
Nenstiel, Christian,
Wagner, Markus R.,
Straßburg, Martin,
Lugauer, Hans-Jürgen und
Hoffmann, Axel
(2016)
Temperature-dependent recombination coefficients in InGaN light-emitting diodes: Hole localization, Auger processes, and the green gap.
Applied Physics Letters 109 (16), S. 161103.
Volltext nicht vorhanden.
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