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Einträge von Strassburg, M. auf dem Publikationsserver
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Anzahl der Einträge: 8.
Liu, W., Rossbach, G., Avramescu, A., Schimpke, T., Lugauer, H.-J., Strassburg, M., Mounir, C., Schwarz, U. T., Deveaud, B. und Jacopin, G.
(2019)
Impact of alloy disorder on Auger recombination in single InGaN/GaN core-shell microrods.
Physical Review B 100 (23).
Volltext nicht vorhanden.
Liu, W., Mounir, C., Rossbach, G., Schimpke, T., Avramescu, A., Lugauer, H.-J., Strassburg, M., Schwarz, U., Deveaud, B. und Jacopin, G.
(2018)
Spatially dependent carrier dynamics in single InGaN/GaN core-shell microrod by time-resolved cathodoluminescence.
Applied Physics Letters 112 (5), 052106.
Volltext nicht vorhanden.
Reklaitis, I., Krencius, L., Malinauskas, T., Karpov, S. Yu, Lugauer, H. J., Pietzonka, I., Strassburg, M., Vitta, P. und Tomašiūnas, R.
(2018)
Time of carrier escape and recombination coefficients in InGaN quantum-well active regions of blue, cyan, and green light-emitting diodes.
Semiconductor Science and Technology 34 (1), 015007.
Volltext nicht vorhanden.
Mohajerani, M. S., Khachadorian, S., Schimpke, T., Nenstiel, C., Hartmann, J., Ledig, J., Avramescu, A., Strassburg, M., Hoffmann, A. und Waag, A.
(2016)
Evaluation of local free carrier concentrations in individual heavily-doped GaN:Si micro-rods by micro-Raman spectroscopy.
Applied Physics Letters 108 (9), 091112.
Volltext nicht vorhanden.
Dmukauskas, M., Kadys, A., Malinauskas, T., Grinys, T., Reklaitis, I., Badokas, K., Skapas, M., Tomašiūnas, R., Dobrovolskas, D., Stanionytė, S., Pietzonka, I., Strassburg, M. und Lugauer, H.-J.
(2016)
Influence of metalorganic precursors flow interruption timing on green InGaN multiple quantum wells.
Journal of Physics D: Applied Physics 49 (50), S. 505101.
Volltext nicht vorhanden.
Reklaitis, I., Kudžma, R., Miasojedovas, S., Vitta, P., Žukauskas, A., Tomašiūnas, R., Pietzonka, I. und Strassburg, M.
(2016)
Photoluminescence Decay Dynamics in Blue and Green InGaN LED Structures Revealed by the Frequency-Domain Technique.
Journal of Electronic Materials 45 (7), S. 3290-3299.
Volltext nicht vorhanden.
Yu, F., Rümmler, D., Hartmann, J., Caccamo, L., Schimpke, T., Strassburg, M., Gad, A. E., Bakin, A., Wehmann, H.-H., Witzigmann, B., Wasisto, H. S. und Waag, A.
(2016)
Vertical architecture for enhancement mode power transistors based on GaN nanowires.
Applied Physics Letters 108 (21), S. 213503.
Volltext nicht vorhanden.
Laubsch, A., Sabathil, M., Bruederl, G., Wagner, J., Strassburg, M., Baur, E., Braun, Harald, Schwarz, Uli, Lell, A., Lutgen, S., Linder, N., Oberschmid, R. und Hahn, B.
(2007)
Measurement of the internal quantum efficiency of InGaN quantum wells.
Proc. SPIE 6486, 64860J.
Volltext nicht vorhanden.
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