Anzahl der Einträge: 3.
Wunderer, T.,
Feneberg, M. ,
Lipski, F.,
Wang, J.,
Leute, R. A. R.,
Schwaiger, S.,
Thonke, K.,
Chuvilin, A. ,
Kaiser, U.,
Metzner, S.,
Bertram, F. ,
Christen, J.,
Beirne, G. J.,
Jetter, M. ,
Michler, P.,
Schade, L.,
Vierheilig, C.,
Schwarz, U. T.,
Dräger, A. D.,
Hangleiter, A. und
Scholz, F.
(2011)
Three‐dimensional GaN for semipolar light emitters.
physica status solidi (b) 248 (3), S. 549-560.
Volltext nicht vorhanden.
Hertkorn, J.,
Thapa, S. B.,
Wunderer, T.,
Scholz, F.,
Wu, Z. H.,
Wei, Q. Y.,
Ponce, F. A. ,
Moram, M. A.,
Humphreys, C. J.,
Vierheilig, C. und
Schwarz, U. T.
(2009)
Highly conductive modulation doped composition graded p-AlGaN/(AlN)/GaN multiheterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy.
Journal of Applied Physics 106 (1).
Volltext nicht vorhanden.
Hertkorn, J.,
Brückner, P.,
Thapa, S.B.,
Wunderer, T.,
Scholz, F.,
Feneberg, M. ,
Thonke, K.,
Sauer, R.,
Beer, M. und
Zweck, J.
(2007)
Optimization of nucleation and buffer layer growth for improved GaN quality.
Journal of Crystal Growth 308 (1), S. 30-36.
Volltext nicht vorhanden.
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