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Anzahl der Einträge: 6.

1989

Bock, W. und Prettl, Wilhelm (1989) Nonlinear effects and transient response of interband and subgap photoconductivity in polycrystalline silicon. Journal of Applied Physics 66 (9), S. 4372.

1988

Bock, W. und Prettl, Wilhelm (1988) Optical detection up to 2.5 Gbit/s with a standard high-speed self-aligned silicon bipolar transistor. Electronics Letters 24 (13), S. 808-810. Volltext nicht vorhanden.

Bock, W., Treitinger, L. und Prettl, Wilhelm (1988) High-speed optical detection up to 2.5 Gbit/s with a double polysilicon self-aligned silicon bipolar transistor. Journal de Physique Colloques 49 (C4), S. 89-92. Volltext nicht vorhanden.

Bock, W. und Prettl, Wilhelm (1988) Nonlinear subgap photoconductivity of polycrystalline silicon. Applied Physics Letters 53 (2), S. 119.

1987

Bock, W. und Prettl, Wilhelm (1987) Subgap-photoconductivity of p-doped polysilicon. In: 17th European Solid State Device Research Conference, 14.-17. September 1987, Bologna, Italien. Volltext nicht vorhanden.

Happek, U., Bock, W., Prettl, Wilhelm, Bernsdorf, S. und Braun, W. (1987) Transient infrared photoconductivity in GaP light-emitting diodes. In: Jahresbericht / BESSY. BESSY, Berlin, S. 228. Volltext nicht vorhanden.

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