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Publikationen von Gmeinwieser, N.

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Anzahl der Einträge: 5.

2007

Gmeinwieser, N. und Schwarz, Uli (2007) Strain of single edge dislocations in bulk GaN. Physica Status Solidi (B). Volltext nicht vorhanden.

2005

Gmeinwieser, N., Gottfriedsen, P., Schwarz, Uli, Wegscheider, Werner, Clos, R., Krtschil, A., Krost, A., Weimar, A., Brüderl, G., Lell, A. und Härle, V. (2005) Single dislocation induced strain in GaN. Journal of Appli ed Physics 98, S. 116102. Volltext nicht vorhanden.

2004

Gmeinwieser, N., Engl, K., Gottfriedsen, P., Schwarz, Uli, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Lugauer, H., Leber, A., Lell, A. und Härle, V. (2004) Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrate. Journal of Appli ed Physics 96, J. Appl. Phys.. Volltext nicht vorhanden.

Gmeinwieser, N., Engl, K., Schwarz, Uli, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Leber, A., Lell, A. und Härle, V. (2004) Strain, wing tilt and Photoluminescence in ELOG GaN on SiC substrates. phys. stat. sol. (a) 201, S. 2760. Volltext nicht vorhanden.

2002

Kümmler, V., Brüderl, G., Bader, S., Miller, S., Weimar, A., Lell, A., Härle, V., Schwarz, Uli, Gmeinwieser, N. und Wegscheider, Werner (2002) Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes. phys. stat. sol. (a) 194, S. 419. Volltext nicht vorhanden.

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