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Anzahl der Einträge: 6.

1999

Shul'man, A., Kotel'nikov, I., Ganichev, Sergey, Dizhur, E., Ormont, A., Zepezauer, E. und Prettl, Wilhelm (1999) Near field enhancement of photoresistive effect in n-GaAs tunnel Schottky junctions. In: Gershoni, David, (ed.) 24th International Conference on the Physics of Semiconductors: Jerusalem, Israel, August 2 - 7, 1998. World Scientific, Singapore, Th-P58. ISBN 981-02-4030-9.

Shul'man, A., Ganichev, Sergey, Kotel'nikov, I., Dizhur, E., Prettl, Wilhelm, Ormont, A., Fedorov, Y. und Zepezauer, E. (1999) Near-zone field effect of FIR laser radiation on tunnel current through the Schottky barrier under plasma reflection condition. physica status solidi (a) 175 (1), S. 289-296.

Shul'man, A., Ganichev, Sergey, Kotel'nikov, I., Dizhur, E., Prettl, Wilhelm, Ormont, A., Fedorov, Y. und Zepezauer, E. (1999) Near-zone field effect of FIR laser radiation on tunnel current through the Schottky barrier under plasma reflection condition. In: Workshop on Surface and Interface Optics '99 (SIO'99), 04. - 08. Mai 1999, Sainte-Maxime, France. Volltext nicht vorhanden.

1998

Zepezauer, E., Shul'man, A., Kotel'nikov, I., Ganichev, Sergey, Ormont, A. und Prettl, Wilhelm (1998) Nahfeld-Verstaerkung des photoresistiven Effektes in n-GaAs/Al-Schottky-Tunnelkontakten. In: Fruehjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 1998, Regensburg. Volltext nicht vorhanden.

Shul'man, A., Kotel'nikov, I., Ganichev, Sergey, Dizhur, E., Ormont, A., Zepezauer, E. und Prettl, Wilhelm (1998) Near field enhancement of photoresistive effect in n-GaAs tunnel Schottky junctions. In: 24th International Conference on the Physics of Semiconductors, 02. - 07. August 1998, Jerusalem, Israel. Volltext nicht vorhanden.

1997

Shul'man, A., Kotel'nikov, I., Ganichev, Sergey, Ormont, A., Varvanin, N. und Prettl, Wilhelm (1997) Giant nonlinearity of photoresistive effect in n-GaAs/Al tunnel junctions with micro- inhomogeneties of metal electrode. In: 3rd Russian conference on semiconductor physics "Semiconductors-97", 01. - 05. Dezember 1997, Moskau, Russland. Volltext nicht vorhanden.

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